为了适应计算机技术的飞速发展，提高内存子系统的发展空间，在2006年的春季IDF上，英特尔公布了这种全新的内存体系—FB-DIMM（Fully Buffered DIMM，全缓冲内存模组），以解决普通的DDR 与 Registered DDR内存发展的局限性。

    首先需要说明的是，FB-DIMM是Intel开发的一种内存模组技术，并不是一种新的内存芯片技术，但这一技术改变了内存子系统的体系架构。其优越的性能表现被广泛应用于中高端服务器领域。

    FB-DIMM英文全称为“Fully Buffered-DIMM”，又称为全缓冲双列内存模组。FB-DIMM是在普通DDR2内存的基础之上改进而来的，但其与普通DDR内存却有了很大的变化。本文通过对新FB-DIMM内存技术特性分析，与FB-DIMM内存实现原理，以及为什么会用于服务器带来优越的性能？对于这些问题，本文将提供给你一个答案。

1、以串行的方式进行数据传输

    首先，与目前的DIMM采用的是一种“短线连接”(Stub-bus)的拓扑结构不同，FB-DIMM与内存控制器之间的数据与命令传输不再是传统的并行线路，而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计，以串行的方式进行数据传输。

“点对点连接”(右)与“短线连接(左)”

    在FB-DIMM架构中，每个DIMM上的缓冲区是相互串联的，之间为点对点的连接方式，数据会在经过第一个缓冲区后传向下一个缓冲区，这样，第一个缓冲区与内存控制器之间的连接阻抗就能始终保持稳定，从而有助于容量与频率的提升。

FB-DIMM系统架构图

    不过，FB-DIMM的串行总线也有其独到之处：数据的上行线路由于14组线路对构成，一个周期可传输14bit数据，而下行线路却只有10组线路对，一个周期传输10bit数据。

    这种不对等设计其实完全是根据实际需要出发，因为不管在任何时候，系统从内存中读取的数据往往比写入内存的数据要多，因此对上行线路的带宽要求也要比下行线路要高，这样不对等设计刚好起到平衡作用，在一定程度上使得读取与写入数据同步。

    同时FB-DIMM所采用的串行接口多路并联的设计还有一个优点，那就是大大增加了抗干扰能力。FB-DIMM所使用的串行总线使用差分信号技术，通过一对线路来表达一下信号，即信号是由“0”或“1”两条线路的电压差来决定，这有点类似于PCI EXPRESS总线。因此此类设计的抗干扰能力要远优于传统的单线传输信号技术，毕竟两条线路之间的电压差是保持在一个相对稳定的水准。

    因此FB-DIMM的总线可以工作在很高的频率之上：以FB-DIMM1.0版标准为例，它可以提供3.2GHz、4GHz 和4.8GHz三种数据传输率，这意味着即使是单通道FB-DIMM系统的也可以提供9.6GB/S、12GB/S和14.4GB/S的惊人带宽。

    注意：由于采用读取与写入不对称设计，因此FB-DIMM的理论读取数据带宽分别为5.6GB/S、7GB/S和8.4GB/S，而写入数据带宽则为4GB/S、5GB/S和6GB/S。

    这仅仅是单通道的情况，实际上FB-DIMM可能构建双通道、四通道或八通道架构，这时所提供的内存带宽是目前的内存所不能比似：最高带宽可以达到86.4GB/S。值注意的是，这些数值并非代表FB-DIMM内存的真正读写效能，因为FB-DIMM所采用的总线是与FB-DIMM模块上的缓冲芯片直接连接的，而不是直接与北桥芯片中的内存控制器相连接。这也意味着FB-DIMM内存模块的芯片的数据传输频率不是与总线频率一致。

    注：目前的DDR内存模块的芯片的数据传输频率是与总线频率一致的，总线频率即是内存真正的读定频率。