很多人谈论到DDR3内存时，总会把GDDR3显存混为一谈。其实二者是有些区别的。我们下面从他们的定义来区分。
一、GDDR2显存的换代产品GDDR3
GDDR3是GDDR2显存的换代产品，主要区别就是前者有着更高的工作频率。当然GDDR3和GDDR2相比还有其他一些不同的地方，GDDR3采用的是单端设计，并没有分开数据输入和写出通道。此外，GDDR3采用了基于电压的“伪开漏”界面技术（pseudo-open drain）。和GDDR2一样，GDDR3采用了1.8V电压标准。
GDDR3显存具备目前业界最高的显存工作频率，而耗能却很低。同时，配备GDDR 3需要的配件更少，约束条件也更低。综合这些优点，NVIDIA的合作商们在启用GDDR3后，将为消费者提供性能更加出色、价格更低的显卡产品。
二、DDR2内存的换代产品DDR3
DDR3相比起DDR2有更高的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。相对于DDR2内存的4bit预取机制，DDR3内存模组最大的改进就是采用了8bit预取机制设计，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz，当DRAM内核工作频率为200MHz时，接口频率已经达到了1600MHz。而当DDR3内存技术成熟时，将会有实力强大的内存厂商推出更高频率的产品，初步估计届时将会出现DDR3-2000甚至2400的高速内存。除了预取机制的改进，DDR3内存还采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。此外，DDR3内存将采用100nm以下的生产工艺，并将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
在性能方面，DDR3内存将拥有比DDR2内存好很多的带宽功耗比(Bandwidth per watt)，对比现有DDR2-800产品，DDR3-800、1067及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不单内存带宽大幅提升，功耗表现也好了很多。 |
